鉑上一氧化碳氧化中的關(guān)閉濃度現(xiàn)象和鉑薄膜的電阻或表面電位的平行陡峭變化被用于開發(fā)碳檢測(cè)器。

在鉑膜上涂上越來(lái)越厚的聚四氟乙烯 (PTFE) 會(huì)使這個(gè)關(guān)斷點(diǎn)移向增加 CO 濃度。

因此，由校準(zhǔn)厚度的 PTFE 覆蓋的一系列電氣元件、鉑薄膜電阻、鉑 MOS 二極管或鉑柵極 MOS 晶體管將在確定的 CO 濃度下關(guān)閉，并且可以繼續(xù)作為數(shù)字檢測(cè)器的基礎(chǔ)。